پیشرفت ها و چالش های ترانزیستورهای MOSFET از جنس کاربید سیلیسیوم
سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 41
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DMECONF09_110
تاریخ نمایه سازی: 12 اردیبهشت 1403
چکیده مقاله:
ترانزیستورهای MOSFET از جنس کاربید سیلیسیوم (SiC) به دلیل خواص برتر الکتریکی و فیزیکی اینماده، در بسیاری از کاربردهای الکترونیک قدرت با ولتاژ، فرکانس و توان بالا مورد توجه قرار گرفته اند. اینترانزیستورها می توانند باعث افزایش بازده، کاهش اندازه و کاهش هزینه مدارهای تبدیل قدرت شوند. اما،این ترانزیستورها همچنان با چالش هایی در زمینه های مختلف مواجه هستند که مانع از گسترش کاربردآنها در بازار شده اند. این چالش ها شامل مسائل مربوط به فرآیند تولید، پایداری و قابلیت اطمینان، رفتار درشرایط سخت و انطباق با مدارهای موجود است. در این مقاله، ما قصد داریم که یک مرور جامع بر رویپیشرفت ها و چالش های ترانزیستورهای SiC MOSFET ارائه دهیم و راهکارهایی برای بهبود عملکرد وکاربرد آنها پیشنهاد کنیم .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حامد حامدی
دانشجوی کارشناسی ارشد ، افزارهای میکروونانو الکترونیک، دانشگاه جامع امام حسین (ع)
سید محمد علوی
دانشیار دانشکده برق دانشگاه جامع امام حسین (ع)
